20 June 2026, 02:18

Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience

Infineon gewinnt Patentstreit gegen Innoscience

Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience

Landgericht München entscheidet zugunsten von Infineon in Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie

Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Im Mittelpunkt stand die Galliumnitrid-Technologie (GaN). Das Gericht stellte fest, dass das chinesische Unternehmen Innoscience unberechtigt patentgeschützte GaN-Lösungen von Infineon genutzt hatte. Dies ist bereits die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in Streitigkeiten über geistige Eigentumsrechte mit Infineon.

Das Gericht hat Innoscience untersagt, in Deutschland GaN-Produkte herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten, die gegen Infineon-Patente verstoßen. Zudem muss das Unternehmen Infineon aufgrund des Urteils Schadensersatz leisten.

Sowohl deutsche als auch US-amerikanische Gerichte und Behörden hatten zuvor festgestellt, dass Produkte von Innoscience gegen das geistige Eigentum von Infineon verstoßen. Infineon hält rund 450 GaN-Patentfamilien und festigt damit seine Position als führender Anbieter von integrierten Bauelementen auf dem GaN-Markt.

Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Sparte bei Infineon, betonte, das Urteil unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon. Er hob das Engagement des Unternehmens hervor, sein geistiges Eigentum zu schützen und faire Wettbewerbsbedingungen zu fördern. GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige, energieeffiziente Stromsysteme, die in erneuerbaren Energien, Rechenzentren, industrieller Automatisierung und Elektrofahrzeugen eingesetzt werden.

Das Urteil stärkt den rechtlichen Schutz von Infineons GaN-Innovationen und schränkt gleichzeitig die Möglichkeiten von Innoscience ein, die umstrittenen Produkte in Deutschland zu vertreiben. Infineon bleibt darauf fokussiert, die Halbleitertechnologie voranzutreiben, um globale Herausforderungen zu bewältigen.

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